K-Matsumi DMA-20：開啟2 nm 納米顆粒一秒“閃測(cè)”新紀(jì)元

發(fā)布時(shí)間： 2025-12-29　　點(diǎn)擊次數(shù)： 73次

在半導(dǎo)體、顯示、醫(yī)藥、大氣監(jiān)測(cè)等制造與科研場(chǎng)景里，20 nm 以下的超細(xì)納米顆粒（Ultrafine Particles, UFP）既是關(guān)鍵性能“助推器"，也是良率“隱形殺手"。傳統(tǒng)光學(xué)粒子計(jì)數(shù)器止步于50–100 nm，而掃描/透射電鏡雖能分辨原子卻難以在線統(tǒng)計(jì)。日本 K-Matsumi 公司推出的 DMA-20 差分電遷移分析儀，以“2 nm 粒徑、1 秒檢出"的指標(biāo)，將“單 nm 級(jí)"與“實(shí)時(shí)級(jí)"同時(shí)寫進(jìn)工業(yè)在線檢測(cè)菜單，為納米材料研發(fā)、潔凈室監(jiān)控與過(guò)程控制打開了一扇新窗口。

一、技術(shù)原理：差分電遷移 + 超靈敏靜電計(jì)

DMA（Differential Mobility Analyzer）的核心是讓帶電粒子在層流電場(chǎng)中按電遷移率大小“排隊(duì)"。DMA-20 在經(jīng)典圓柱形 DMA 基礎(chǔ)上做了三項(xiàng)革新：

層流場(chǎng)整形技術(shù)
采用航空級(jí)鋁合金腔體，經(jīng)金剛石切削得到鏡面級(jí)（Ra ≤ 30 nm）同軸度，入口加裝多孔整流板，使雷諾數(shù) Re < 500，確保 2 nm 粒子也不受湍流擾動(dòng)。
高壓精度控制
0–20 kV 高壓模塊分辨率 0.01 V，電壓噪聲 < 0.3 mV，對(duì)應(yīng)電遷移率分辨率 ΔZp/Zp ≤ 1.2 %，從而把 2 nm 與 2.1 nm 的峰分離度拉到 1 σ 以上。
飛安級(jí)靜電計(jì)陣列
放棄傳統(tǒng)法拉第杯 + 皮安計(jì)方案，改用 8 通道并聯(lián)式“飛安靜電計(jì)"（fA-ammeter），單通道噪聲 0.2 fA（rms, 1 Hz），等效粒徑檢測(cè)下由 5 nm 直接下探到 2 nm，且保持 1 s 時(shí)間分辨率。

二、系統(tǒng)架構(gòu)：三合一在線平臺(tái)

DMA-20 將“采樣—中和—測(cè)量—反演"集成在 19 英寸 4U 機(jī)箱內(nèi)：

軟 X 射線雙極中和器
平均電荷態(tài) |q| ≤ 1.05 e，避免高濃度雙電荷峰拖尾，提高分布反演準(zhǔn)確度。
逆氣流鞘氣循環(huán)
閉環(huán)干式泵 + 分子篩凈化，鞘氣潔凈度 ISO 1 級(jí)，減少 2 nm 粒子在壁面損失（傳輸效率 ≥ 65 %）。
高速反演算法
基于 Tikhonov 非負(fù)正則化，嵌入式 GPU 把 100 點(diǎn)粒徑分布計(jì)算壓縮到 0.3 s，實(shí)現(xiàn)“測(cè)完即得"。

三、關(guān)鍵性能指標(biāo)

項(xiàng)目	規(guī)格
粒徑范圍	2–160 nm（單級(jí) DMA）
分辨率	1.2 %（ΔZp/Zp）
最小檢出直徑	2 nm
響應(yīng)時(shí)間	1 s（1 Hz 數(shù)據(jù)更新）
濃度	10? pt/cm3（無(wú)需稀釋）
重復(fù)性	σg < 1.5 %（50 nm NIST 標(biāo)粒）
工作流量	0.3–1.5 L/min 可調(diào)
數(shù)據(jù)接口	Ethernet、Modbus-TCP、4–20 mA

四、應(yīng)用場(chǎng)景

半導(dǎo)體晶圓廠
在線監(jiān)測(cè) EUV 光刻機(jī)臺(tái)周邊 3–10 nm 浮游顆粒，與 OPC（粒子計(jì)數(shù)器）聯(lián)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)污染源頭秒級(jí)報(bào)警。
納米材料合成
氣相法合成 TiO?、SiO? 納米顆粒時(shí)，DMA-20 直接給出 2–20 nm 段“真實(shí)分布"，幫助優(yōu)化反應(yīng)器溫度與停留，縮短研發(fā)迭代周期 40 %。
大氣環(huán)境研究
在城市路邊站搭配 SMPS 系統(tǒng)，捕獲車輛冷啟動(dòng)排放的 3 nm 核模顆粒，為二次氣溶膠形成機(jī)制提供高時(shí)間分辨率數(shù)據(jù)。
注射藥物納米晶
對(duì)高壓均質(zhì)法制備的 50–150 nm 藥物晶體進(jìn)行在線閉環(huán)控制，粒徑超標(biāo) 2 nm 即觸發(fā)均質(zhì)壓力自動(dòng)修正，確保批次一致性。

五、與傳統(tǒng)方案對(duì)比

方案	粒徑下	時(shí)間分辨率	在線能力	備注
光學(xué)粒子計(jì)數(shù)器	50–100 nm	1 s	?	無(wú)法覆蓋 2–20 nm
SMPS（商用）	10 nm	60–120 s	?	掃描型，時(shí)間滯后
電鏡（TEM）	0.1 nm	離線	?	取樣制樣復(fù)雜
DMA-20	2 nm	1 s	?	單級(jí) DMA，無(wú)需掃描

六、未來(lái)展望

K-Matsumi 已在開發(fā)“DMA-20-HP"高壓版，目標(biāo) 1 nm 檢出；并與 EUV 設(shè)備商合作，將 DMA-20 嵌入光刻機(jī)內(nèi)部真空管路，實(shí)現(xiàn) 0.1 nm 級(jí)金屬污染顆粒的“原位"監(jiān)測(cè)。隨著 2 nm 節(jié)點(diǎn)制程量產(chǎn)，DMA-20 及其衍生型號(hào)有望成為納米尺度“標(biāo)尺"，支撐下一代超精密制造與材料科學(xué)持續(xù)突破。

結(jié)語(yǔ)

從“看得見(jiàn)"到“數(shù)得清"，K-Matsumi DMA-20 用 2 nm 的分辨率和 1 秒的閃電速度，把納米世界的“隱形顆粒"納入實(shí)時(shí)量化管理體系。它不僅是一臺(tái)儀器，更是連接納米科研與工業(yè)控制的橋梁，為良率提升、綠色制造和前沿研究提供了“洞察力"。

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K-Matsumi DMA-20：開啟2 nm 納米顆粒一秒“閃測(cè)”新紀(jì)元

一、技術(shù)原理：差分電遷移 + 超靈敏靜電計(jì)

二、系統(tǒng)架構(gòu)：三合一在線平臺(tái)

三、關(guān)鍵性能指標(biāo)